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IRFR9120PBF
0.266
IRFR9120PBF 数据手册 (11 页)
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IRFR9120PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252-3
漏源极电阻
600 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
-5.60 A
上升时间
29 ns
输入电容值(Ciss)
390pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
25 ns
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)

IRFR9120PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
最小包装数量
2000

IRFR9120PBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 1.07 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 1.05 MByte

IRFR9120 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Harris
P沟道 100V 5.6A
Intersil(英特矽尔)
5.6A , 100V , 0.600欧姆,P沟道功率MOSFET 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
Vishay Intertechnology
Samsung(三星)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
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