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IRFR9210TRPBF
0.36
IRFR9210TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRFR9210TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
-1.90 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
170pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
25 W

IRFR9210TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRFR9210TRPBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 0.78 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.76 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.15 MByte
VISHAY(威世)
6 页 / 0.11 MByte

IRFR9210 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(ON) = 3.0ohm ,ID = -1.9A ) Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFR9210PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V
Vishay Siliconix
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