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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRFR9310TRPBF Datasheet 文档
IRFR9310TRPBF
0.642

IRFR9310TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
7 Ω
极性
P-Channel
功耗
50 W
漏源极电压(Vds)
400 V
连续漏极电流(Ids)
-1.80 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
270pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
50 W
下降时间
24 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50000 mW

IRFR9310TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRFR9310TRPBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 0.27 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.23 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.09 MByte

IRFR9310 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -400V , RDS(ON) = 7.0ohm ,ID = -1.8A ) Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFR9310PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.8 A, -400 V, 7 ohm, -10 V, -4 V
Vishay Siliconix
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