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IRFRC20PBF
0.503
IRFRC20PBF 数据手册 (8 页)
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IRFRC20PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
42 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
4.4 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFRC20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFRC20PBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.81 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 1.08 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.09 MByte

IRFRC20 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Kersemi Electronic
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFRC20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 4 V
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