Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRFS4310PBF Datasheet 文档
IRFS4310PBF
1.417
IRFS4310PBF 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFS4310PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
330 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.0056 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
130A
上升时间
110 ns
输入电容值(Ciss)
7670pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
78 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300000 mW

IRFS4310PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFS4310PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.56 MByte

IRFS4310 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFS4310ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.0048 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,127A,6mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
100V,127A,N沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z