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IRFS4410ZPBF
0.502
IRFS4410ZPBF 数据手册 (12 页)
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IRFS4410ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
230 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0072 Ω
极性
N-CH
功耗
230 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
97A
输入电容值(Ciss)
4820pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
230 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
230W (Tc)

IRFS4410ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFS4410ZPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRFS4410 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFS4410TRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V 新
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFS4410ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 7.2 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
100V,97A,N沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 100V 88A
International Rectifier(国际整流器)
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