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IRFS52N15DTRLP
1.096
IRFS52N15DTRLP 数据手册 (11 页)
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IRFS52N15DTRLP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
320 W
极性
N-CH
功耗
3.8W (Ta), 230W (Tc)
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
51A
上升时间
47 ns
输入电容值(Ciss)
2770pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 230W (Tc)

IRFS52N15DTRLP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFS52N15DTRLP 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IRFS52N15 数据手册

Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRFS52N15DTRLP TO-263
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRFS52N15DTRRP D2PAK
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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