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IRFS7730PBF
0.647
IRFS7730PBF 数据手册 (12 页)
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IRFS7730PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
375 W
极性
N-CH
功耗
375 W
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
246A
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
13660pF @25V(Vds)
下降时间
115 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375W (Tc)

IRFS7730PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFS7730PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.11 MByte

IRFS7730 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 75 V, 0.0017 ohm, 10 V, 3.7 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFS7730-7PPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 269 A, 75 V, 0.0017 ohm, 10 V, 3.7 V 新
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 195 A, 75 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3.7 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 75V 195A
International Rectifier(国际整流器)
75V,269A,StrongIRFET? N沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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