Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRFU120PBF Datasheet 文档
IRFU120PBF
0.634
IRFU120PBF 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFU120PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-251-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.27 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
7.70 A
输入电容值(Ciss)
360pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃

IRFU120PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
3000

IRFU120PBF 数据手册

VISHAY(威世)
10 页 / 2.09 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.78 MByte
VISHAY(威世)
4 页 / 0.23 MByte

IRFU120 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFU120NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 9.4A, IPAK 新
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFU120PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 55V 44A
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z