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IRFUC20PBF
0.48
IRFUC20PBF 数据手册 (11 页)
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IRFUC20PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-251-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
4.4 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5 W

IRFUC20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
2.38 mm
高度
6.22 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFUC20PBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 1.08 MByte
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IRFUC20 数据手册

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International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Kersemi Electronic
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功率MOSFET Power MOSFET
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