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IRFZ34N 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFZ34N 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRFZ34N 数据手册 (11 页)

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IRFZ34N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

55.0 V

额定电流

29.0 A

封装

TO-220

漏源极电阻

40.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

56.0 W

零部件系列

IRFZ34N

漏源极电压(Vds)

55.0 V

漏源击穿电压

55.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

29.0 A

上升时间

49 ns

输入电容值(Ciss)

700pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

68000 mW

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IRFZ34N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

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IRFZ34N 符合标准

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