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IRFZ40 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFZ40 数据手册 (5 页)

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IRFZ40 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

28 mΩ

功耗

150 W

漏源击穿电压

50 V

上升时间

110 ns

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

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IRFZ40 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

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IRFZ40 符合标准

IRFZ40 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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