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IRFZ46NPBF
0.344
IRFZ46NPBF 数据手册 (8 页)
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IRFZ46NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
53.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
16.5 mΩ
极性
N-Channel
功耗
107 W
零部件系列
IRFZ46N
阈值电压
4 V
输入电容
1696pF @25V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
53.0 A
上升时间
76.0 ns
输入电容值(Ciss)
1696pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
107 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFZ46NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.66 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFZ46NPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.21 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte

IRFZ46 数据手册

Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Vishay Intertechnology
New Jersey Semiconductor
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 50V , RDS(ON) = 0.024ohm ,ID = 50 * A) Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.024ohm, Id=50*A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFZ46NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFZ46NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 53A TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFZ46NLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V 新
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