Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor(威世) > IRFZ48PBF Datasheet 文档
IRFZ48PBF
1.325
IRFZ48PBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFZ48PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
漏源极电阻
0.018 Ω
极性
N-Channel
功耗
190 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
50.0 A
上升时间
250 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @25V(Vds)
下降时间
250 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190 W

IRFZ48PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.51 mm
宽度
4.65 mm
高度
15.49 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFZ48PBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 1.55 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 1.55 MByte

IRFZ48 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
Vishay Siliconix
Microsemi(美高森美)
TI(德州仪器)
Inchange Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFZ48 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z