￥ 1.196

IRFZ48RPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFZ48RPBF 数据手册 (8 页)

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IRFZ48RPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

50.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

18 mΩ

极性

N-Channel

功耗

190 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

上升时间

250 ns

输入电容值(Ciss)

2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

190 W

下降时间

250 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

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IRFZ48RPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.01 mm

最小包装数量

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IRFZ48RPBF 符合标准

IRFZ48RPBF 概述

IRFZ48RPBF 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.96 MByte

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VISHAY（威世）

9 页 / 1.1 MByte

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