￥ 4.176

IRFZ48VPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRFZ48VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFZ48VPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

IRFZ48VPBF 数据手册 (8 页)

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IRFZ48VPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

150 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.012 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

4 V

输入电容

1985 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

72A

上升时间

200 ns

输入电容值(Ciss)

1985pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

下降时间

166 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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IRFZ48VPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.66 mm

高度

8.77 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFZ48VPBF 符合标准

IRFZ48VPBF 概述

IRFZ48VPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.21 MByte

IRFZ48VPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFZ48VPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFZ48VPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFZ48VPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFZ48VPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

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