IRF
绝缘栅双极晶体管( VCES = 600V ,的VCE(on )典型值= 1.59V , @ VGE = 15V , IC = 17A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4PC30UDPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4PC30FDPBF 单晶体管, IGBT, 快速CoPACK, N通道, 31 A, 1.99 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4PC30KDPBF 单晶体管, IGBT, 28 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4PC30UPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,Vce=600V,Ic=31A,Vce(on)=1.59V
Infineon(英飞凌)
IGBT 超过 21A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PC30UDPBF 晶体管, 单路, IGBT, 600V, 23A, TO-247AC 新