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IRG4PF50W
4.18
IRG4PF50W 数据手册 (11 页)
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IRG4PF50W 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
900 V
额定电流
51.0 A
封装
TO-247
额定功率
200 W
零部件系列
IRG4PF50W
输入电容
3.30 nF
上升时间
26.0 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

IRG4PF50W 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

IRG4PF50W 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRG4PF50 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4PF50WPBF  单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4PF50WDPBF  单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRG4PF50WDPBF  晶体管, 单路, IGBT, 900V, 51A 新
International Rectifier(国际整流器)
IRG4PF50WPBF 管装
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
绝缘栅双极晶体管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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