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IRG4PF50WDPBF
3.955
IRG4PF50WDPBF 数据手册 (11 页)
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IRG4PF50WDPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
200 W
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
200 W
上升时间
52.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
900 V
反向恢复时间
90 ns
额定功率(Max)
200 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

IRG4PF50WDPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
高度
20.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRG4PF50WDPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.61 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IRG4PF50 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4PF50WPBF  单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4PF50WDPBF  单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRG4PF50WDPBF  晶体管, 单路, IGBT, 900V, 51A 新
International Rectifier(国际整流器)
IRG4PF50WPBF 管装
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
绝缘栅双极晶体管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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