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IRG7PH35UD1MPBF
4.9
IRG7PH35UD1MPBF 数据手册 (3 页)
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IRG7PH35UD1MPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
179 W
功耗
179 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
179 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
179000 mW

IRG7PH35UD1MPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRG7PH35UD1MPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte

IRG7PH35UD1 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG7PH35UD1PBF  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 179 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 1200V UltraFast Discrete IGBT
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier IRG7PH35UD1PBF, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1200 V, 3针 TO-247AC封装
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG7PH35UD1-EP  晶体管, IGBT, 1200V, 50A
International Rectifier(国际整流器)
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