IRG7PH35UDPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

INFINEON  IRG7PH35UDPBF  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

INFINEON  IRG7PH35UD-EP  单晶体管, IGBT, N通道, 50 A, 2.3 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 新

INFINEON  IRG7PH35UD1PBF  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 179 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

IGBT 晶体管 1200V UltraFast Discrete IGBT

IGBT 超过 21A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

International Rectifier IRG7PH35UD1PBF, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1200 V, 3针 TO-247AC封装