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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Infineon(英飞凌) > IRGB10B60KDPBF Datasheet 文档
IRGB10B60KDPBF
0.5
IRGB10B60KDPBF 数据手册 (15 页)
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IRGB10B60KDPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
104 W
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
156 W
上升时间
20.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
热阻
0.8℃/W (RθJC)
反向恢复时间
90 ns
额定功率(Max)
156 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
156000 mW

IRGB10B60KDPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.66 mm
宽度
4.69 mm
高度
8.77 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRGB10B60KDPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
4 页 / 0.1 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRGB10B60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRGB10B60KDPBF  单晶体管, IGBT, 22 A, 2.2 V, 104 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRGB10B60KDPBF  晶体管, 单路, IGBT, 600V, 22A 新
International Rectifier(国际整流器)
IRF
绝缘栅双极型晶体管,超快软恢复二极管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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