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IRGP6650DPBF
2.684
IRGP6650DPBF 数据手册 (13 页)
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IRGP6650DPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
306 W
针脚数
3 Position
功耗
306 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
50 ns
额定功率(Max)
306 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
306 W

IRGP6650DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

IRGP6650DPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.65 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte

IRGP6650 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT 超过 21A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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