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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Infineon(英飞凌) > IRGPS40B120UPBF Datasheet 文档
IRGPS40B120UPBF
5.08
IRGPS40B120UPBF 数据手册 (10 页)
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IRGPS40B120UPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-274-3
额定功率
595 W
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
595 W
上升时间
25.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
595 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
595000 mW

IRGPS40B120UPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.6 mm
宽度
5 mm
高度
20.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRGPS40B120UPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.1 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.13 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IRGPS40B120 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRGPS40B120UPBF  单晶体管, IGBT, 80 A, 3.5 V, 595 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRGPS40B120UDP  单晶体管, IGBT, 80 A, 3.39 V, 595 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
绝缘栅双极晶体管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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