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IRL1404ZSPBF
0.261
IRL1404ZSPBF 数据手册 (13 页)
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IRL1404ZSPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
5.9 mΩ
极性
N-Channel
功耗
230 W
零部件系列
IRL1404ZS
阈值电压
2.7 V
输入电容
5080pF @25V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
75.0 mA
输入电容值(Ciss)
5080pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRL1404ZSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.67 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRL1404ZSPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
13 页 / 0.35 MByte
International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.11 MByte

IRL1404 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL1404ZPBF  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 200 A, 40 V, 3.1 mohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL1404PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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