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IRL2203NSTRR
0.447
IRL2203NSTRR 数据手册 (11 页)
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IRL2203NSTRR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
3.8W (Ta), 180W (Tc)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
116A
输入电容值(Ciss)
3290pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 180W (Tc)

IRL2203NSTRR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRL2203NSTRR 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
25 页 / 1.73 MByte

IRL2203 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 7.0mohm ,ID = 116A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL2203NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRL2203NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 116A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL2203NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 116A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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