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IRL3705ZPBF
0.567
IRL3705ZPBF 数据手册 (12 页)
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IRL3705ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
75.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
12 mΩ
极性
N-Channel
功耗
130 W
零部件系列
IRL3705Z
输入电容
2880pF @25V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55.0 V
连续漏极电流(Ids)
75.0 A
上升时间
240 ns
输入电容值(Ciss)
2880pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
130 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRL3705ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.66 mm
高度
9.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRL3705ZPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.36 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier(国际整流器)
13 页 / 0.27 MByte

IRL3705 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL3705NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 55 V, 10 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL3705NSTRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 89A, 55V, 3.8W
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,55V,75A,8mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,55V,89A,10mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL3705NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 55 V, 10 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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