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IRL3803LPBF
0.262
IRL3803LPBF 数据手册 (11 页)
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IRL3803LPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-262-3
额定功率
200 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
9 mΩ
极性
N-CH
功耗
200 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
140A
上升时间
230 ns
输入电容值(Ciss)
5000pF @25V(Vds)
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)

IRL3803LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.2 mm
宽度
4.5 mm
高度
9.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRL3803LPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.08 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IRL3803 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.006ohm ,ID = 140A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL3803PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL3803VPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 30 V, 5.5 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 30 V 3.8 W 140 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL3803SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 140A
Infineon(英飞凌)
N沟道 30V 140A
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