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IRL620SPBF
1.563
IRL620SPBF 数据手册 (8 页)
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IRL620SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
800 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.1 W
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
5.20 A
上升时间
31 ns
输入电容值(Ciss)
360pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)

IRL620SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
最小包装数量
2000

IRL620SPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 2.13 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 1.42 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.06 MByte

IRL620 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.80ohm ,ID = 5.2A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRL620SPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 5.2A D2-PAK
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRL620PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, 5 V, 2 V 新
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