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IRL630SPBF
0.442
IRL630SPBF 数据手册 (8 页)
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IRL630SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
400 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.1 W
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
上升时间
57 ns
输入电容值(Ciss)
1100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W
下降时间
33 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.1 W

IRL630SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRL630SPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.19 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.21 MByte

IRL630 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 9.0A ) Power MOSFET(Vdss=200V, RdS(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRL630PBF..  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 0.4 ohm, 5 V, 2 V
VISHAY(威世)
Vishay Siliconix
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