器件3D模型

￥ 0.281

IRL6372TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRL6372TRPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRL6372TRPBF 数据手册 (8 页)

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IRL6372TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.014 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1.1 V

输入电容

1020 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

8.1A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

1020pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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IRL6372TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRL6372TRPBF 符合标准

IRL6372TRPBF 概述

IRL6372TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.26 MByte

IRL6372TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRL6372TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRL6372TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRL6372TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRL6372TRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRL6372TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.14 MByte

IRL6372 数据手册

Infineon（英飞凌）

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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

IRL6372PBF 数据手册

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INFINEON IRL6372PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8.1 A, 30 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 1.1 V

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