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IRLB4030PBF
1.633
IRLB4030PBF 数据手册 (8 页)
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IRLB4030PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
370 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0034 Ω
极性
N-Channel
功耗
370 W
阈值电压
2.5 V
输入电容
11360 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
180A
上升时间
330 ns
输入电容值(Ciss)
11360pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
370 W
下降时间
170 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
370000 mW

IRLB4030PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLB4030PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLB4030 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLB4030PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,180A,4.3mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
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