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IRLH5030TRPBF
1.124
IRLH5030TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRLH5030TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
QFN-8
额定功率
3.6 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0072 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.6 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
13A
上升时间
72 ns
输入电容值(Ciss)
5185pF @50V(Vds)
下降时间
41 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3600 mW

IRLH5030TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLH5030TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.24 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
4 页 / 0.09 MByte

IRLH5030 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLH5030TRPBF  场效应管, MOSFET, N通道
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLH5030TR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.5 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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