器件3D模型

￥ 1.927

IRLHM630TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

QFN-8

描述:

INFINEON IRLHM630TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLHM630TRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRLHM630TRPBF 数据手册 (9 页)

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1 应用领域

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IRLHM630TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

QFN-8

额定功率

2.7 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0028 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.7 W

阈值电压

800 mV

输入电容

3170 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

21A

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

3170pF @25V(Vds)

下降时间

43 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

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IRLHM630TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRLHM630TRPBF 符合标准

IRLHM630TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.52 MByte

IRLHM630TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLHM630TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 1.32 MByte

IRLHM630TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLHM630TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRLHM630TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.07 MByte

IRLHM630TRPBF 产品手册

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.12 MByte

IRLHM630 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRLHM630TRPBF 数据手册

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INFINEON IRLHM630TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV

IRLHM630TRPBF 数据手册

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