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IRLIZ34GPBF
1.271
IRLIZ34GPBF 数据手册 (8 页)
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IRLIZ34GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
N-Channel
功耗
42 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
170 ns
下降时间
56 ns
工作温度(Max)
175 ℃

IRLIZ34GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRLIZ34GPBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 1.59 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.24 MByte

IRLIZ34 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLIZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 55 V, 35 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
TO-220AB 整包
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRLIZ34GPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 50 mohm, 5 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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