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Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRLIZ34N Datasheet 文档
IRLIZ34N
1.365

IRLIZ34N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-220
功耗
37000 mW
漏源极电压(Vds)
55.0 V
漏源击穿电压
55.0V (min)
连续漏极电流(Ids)
22.0 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
880pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
37000 mW

IRLIZ34N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
高度
9.8 mm

IRLIZ34N 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.12 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.1 MByte

IRLIZ34 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLIZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 55 V, 35 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
TO-220AB 整包
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRLIZ34GPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 50 mohm, 5 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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