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IRLL014NTRPBF
0.173
IRLL014NTRPBF 数据手册 (9 页)
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IRLL014NTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
额定功率
2.1 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.14 Ω
极性
N-CH
功耗
2.1 W
阈值电压
2 V
输入电容
230 pF
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
2.8A
上升时间
4.9 ns
输入电容值(Ciss)
230pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
2.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

IRLL014NTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.739 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLL014NTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.16 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRLL014 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL014NTRPBF  晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL014NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLL014NTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道 2A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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