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IRLL024NPBF
0.575
IRLL024NPBF 数据手册 (8 页)
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IRLL024NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-261-4
额定功率
2.1 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.065 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.1 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
4.4A
上升时间
21 ns
输入电容值(Ciss)
510pF @25V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

IRLL024NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLL024NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.16 MByte

IRLL024 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 0.048 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL024ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLL024NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 3.1A SOT-223 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 55V 5A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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