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IRLL024Z
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IRLL024Z 数据手册 (10 页)
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IRLL024Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-223
漏源极电压(Vds)
55 V
输入电容值(Ciss)
380pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1 W

IRLL024Z 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.28 MByte

IRLL024 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 0.048 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL024ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLL024NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 3.1A SOT-223 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 55V 5A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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