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IRLL2705PBF
0.327
IRLL2705PBF 数据手册 (9 页)
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IRLL2705PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-261-4
额定功率
2.1 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.04 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.1 W
阈值电压
2 V
输入电容
870pF @25V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
5.2A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
870pF @25V(Vds)
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

IRLL2705PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLL2705PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLL2705 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL2705TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 55 V, 0.04 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL2705PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLL2705TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1W, SOT-223
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLL2705PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 3.8A SOT-223 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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