￥ 1.22

IRLL3303PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

INFINEON IRLL3303PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLL3303PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRLL3303PBF 数据手册 (9 页)

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IRLL3303PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-261-4

额定功率

1 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.031 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.1 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

6.5A

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

840pF @25V(Vds)

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta)

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IRLL3303PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRLL3303PBF 符合标准

IRLL3303PBF 概述

IRLL3303PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.16 MByte

IRLL3303PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLL3303PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.3 MByte

IRLL3303PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLL3303PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.68 MByte

IRLL3303PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.16 MByte

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HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET

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INFINEON IRLL3303TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 0.031 ohm, 10 V, 1 V

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INFINEON IRLL3303PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1 V

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