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IRLM110ATF
0.24
IRLM110ATF 数据手册 (7 页)
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IRLM110ATF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
100 V
额定电流
1.50 A
封装
SOT-223-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
440 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.2 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.50 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
235pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.2 W
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.2W (Tc)

IRLM110ATF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLM110ATF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.33 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte

IRLM110 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRLM110ATF  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-223, SMD, 1.5A, 100V
Fairchild(飞兆/仙童)
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
International Rectifier(国际整流器)
Fenghua(风华高科)
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