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IRLML2502TRPBF
0.115
IRLML2502TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRLML2502TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
4.20 A
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
0.08 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.25 W
零部件系列
IRLML2502
输入电容
740pF @15V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
4.20 A
上升时间
10.0 ns
输入电容值(Ciss)
740pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.25W (Ta)

IRLML2502TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.8 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRLML2502TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.19 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.18 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.11 MByte

IRLML2502 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML2502TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 4.2A, SOT-23-3, 整卷
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML2502PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 45 mohm, 4.5 V, 1.2 V
International Rectifier(国际整流器)
IRLML2502TR N沟道MOSFET 20V 4.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 G
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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