IRLML2803GPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） =仅为0.25mΩ ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)

INFINEON  IRLML2803TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, Micro-3, 30V

N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V

N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRLML2803TR N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 1B/B4/BB/BD/B6 低导通电阻