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IRLML2803TR
0.065
IRLML2803TR 数据手册 (8 页)
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IRLML2803TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
1.20 A
封装
SOT-23
功耗
0.54 W
零部件系列
IRLML2803
漏源极电压(Vds)
30.0 V
漏源击穿电压
30.0V (min)
连续漏极电流(Ids)
1.20 A
上升时间
4.00 ns

IRLML2803TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRLML2803TR 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.21 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.18 MByte

IRLML2803 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) =仅为0.25mΩ ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML2803TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, Micro-3, 30V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
IRLML2803TR N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 1B/B4/BB/BD/B6 低导通电阻
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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