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IRLML5103GTRPBF
0.166
IRLML5103GTRPBF 数据手册 (8 页)
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IRLML5103GTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.6 Ω
极性
P-Channel
功耗
540 mW
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
0.76A
上升时间
8.2 ns
输入电容值(Ciss)
75pF @25V(Vds)
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
540 mW

IRLML5103GTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLML5103GTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.18 MByte

IRLML5103 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML5103TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-30V,-0.76A,600mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
IRLML5103TR P沟道MOS场效应管 -760mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1D/D 快速开关
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML5103PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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