￥ 0.492

IRLML6302PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

描述:

INFINEON IRLML6302PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRLML6302PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRLML6302PBF 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRLML6302PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

额定功率

0.54 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.6 Ω

极性

P-CH

功耗

400 mW

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.78A

输入电容值(Ciss)

97pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

540 mW

查看数据手册 >

IRLML6302PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

3.05 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.01 mm

查看数据手册 >

IRLML6302PBF 符合标准

IRLML6302PBF 概述

IRLML6302PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.24 MByte

IRLML6302PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.24 MByte

IRLML6302 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRLML6302 P沟道MOS场效应管 -780mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1CKU 超低导通电阻低栅极电荷

IRLML6302 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRLML6302TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

P沟道 -20 V 540 mW 2.4 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

IRLML6302TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

-20V,-0.78A,P沟道功率MOSFET

IRLML6302GTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRLML6302PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRLML6302PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V

IRLML6302TR 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRLML6302GTRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRLML6302PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRLML6302TRPBF-1 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号