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IRLML6302PBF
0.127
IRLML6302PBF 数据手册 (8 页)
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IRLML6302PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
漏源极电阻
600 mΩ
极性
P-Channel
功耗
400 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
600 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRLML6302PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRLML6302PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.21 MByte

IRLML6302 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRLML6302 P沟道MOS场效应管 -780mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1CKU 超低导通电阻 低栅极电荷
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -20 V 540 mW 2.4 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
-20V,-0.78A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML6302PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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