器件3D模型

￥ 0.047

IRLML6401TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON IRLML6401TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLML6401TRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRLML6401TRPBF 数据手册 (9 页)

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IRLML6401TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

1.3 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.05 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.3 W

阈值电压

550 mV

输入电容

830 pF

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

4.3A

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

830pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

210 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.3W (Ta)

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IRLML6401TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRLML6401TRPBF 符合标准

IRLML6401TRPBF 概述

IRLML6401TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.19 MByte

IRLML6401TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLML6401TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRLML6401TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLML6401TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRLML6401TRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRLML6401TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.14 MByte

IRLML6401TRPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.15 MByte

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HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET

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INFINEON IRLML6401TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

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-4.3A,-12V,P沟道功率MOSFET

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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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INFINEON IRLML6401PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV

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