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IRLML6402GTRPBF
0.381
IRLML6402GTRPBF 数据手册 (8 页)
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IRLML6402GTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
1.3 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
65 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1.3 W
阈值电压
550 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
3.7A
上升时间
48 ns
输入电容值(Ciss)
633pF @10V(Vds)
下降时间
381 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.3W (Ta)

IRLML6402GTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLML6402GTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.16 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRLML6402 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML6402TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -3.7A, SOT-23
International Rectifier(国际整流器)
-3.7A,-20V,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
IRLML6402GTRPBF 编带
International Rectifier(国际整流器)
IRLML6402TR P沟道MOS场效应管 -3.7A 0.065ohm SOT-23 marking/标记 EC/E4/E1/EB/E7/E3 超低导通电阻 薄型封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML6402PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 65 mohm, -4.5 V, -550 mV
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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